来源:北京华研中商经济信息中心 时间:2025-01-26 14:59:27 [举报]
中国芯片技术发展状况分析及投资战略研究报告2024 VS 2030年
★★★★★★★★★★★★★★★★★★★★★★★
【报告编号】:469531
【出版时间】: 2024年8月
【出版机构】: 华研中商研究院
【交付方式】: EMIL电子版或特快专递
【报告价格】:【纸质版】: 6500元 【电子版】: 6800元 【纸质+电子】: 7000元
【联-系-人】: 成莉莉····客服专员
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【报告目录】
章 芯片技术相关概述
1.1 芯片技术概念阐释
1.1.1 芯片技术概述
1.1.2 芯片架构概述
1.2 芯片技术相关介绍
1.2.1 芯片技术特性
1.2.2 芯片技术垄断
第二章 2021年到2024年国内外芯片技术发展综况
2.1 芯片技术发展综述
2.1.1 芯片技术
2.1.2 技术创新趋势
2.1.3 下一代芯片技术
2.2 中国芯片技术发展现状
2.2.1 芯片技术设备封锁
2.2.2 芯片技术突破创新
2.2.3 芯片技术发展制约
2.3 芯片技术专利申请状况
2.3.1 2023年芯片行业专利申请概况
2.3.2 2023年芯片行业专利技术构成
2.3.3 2023年芯片行业专利申请人分析
2.3.4 2023年芯片行业技术创新热点
第三章 2021年到2024年芯片设计领域技术发展状况分析
3.1 中国芯片设计领域技术发展分析
3.1.1 技术基本流程
3.1.2 技术发展阶段
3.1.3 技术发展意义
3.1.4 技术参与主体
3.1.5 技术垄断优势
3.1.6 技术发展效益
3.2 芯片架构设计技术发展分析
3.2.1 技术设计原则
3.2.2 技术应用分类
3.2.3 技术支持工具
3.2.4 技术发展阶段
3.2.5 技术发展进程
3.2.6 技术发展意义
3.3 芯片EDA技术发展分析
3.3.1 技术发展历程
3.3.2 技术应用领域
3.3.3 技术发展意义
3.3.4 技术发展特点
3.3.5 技术发展进程
3.3.6 技术发展效益
第四章 2021年到2024年芯片制造领域技术发展状况分析
4.1 中国芯片制造领域技术发展分析
4.1.1 技术发展历程
4.1.2 技术发展规律
4.1.3 技术发展逻辑
4.1.4 技术发展综况
4.1.5 技术发展进程
4.1.6 技术发展阻碍
4.2 晶圆制备技术发展分析
4.2.1 技术发展历程
4.2.2 技术发展阶段
4.2.3 技术发展意义
4.2.4 技术发展综况
4.2.5 技术发展进程
4.2.6 技术发展效益
4.3 氧化技术发展分析
4.3.1 技术的发展分类
4.3.2 技术发展意义
4.3.3 技术发展综况
4.3.4 技术应用发展
4.4 光刻技术发展分析
4.4.1 技术发展历程
4.4.2 技术发展阶段
4.4.3 技术发展意义
4.4.4 技术发展综况
4.4.5 技术发展进程
4.4.6 技术发展效益
第五章 2021年到2024年芯片封装领域技术发展状况分析
5.1 中国芯片封装领域技术发展分析
5.1.1 技术发展历程
5.1.2 技术发展意义
5.1.3 技术发展综况
5.1.4 技术等级划分
5.1.5 技术功能作用
5.1.6 技术发展效益
5.2 封装技术发展分析
5.2.1 技术发展历程
5.2.2 技术发展
5.2.3 技术发展类型
5.2.4 技术发展进程
5.2.5 技术发展
5.2.6 技术发展问题
5.2.7 技术发展方向
5.3 传统封装技术发展分析
5.3.1 技术发展历程
5.3.2 技术发展阶段
5.3.3 技术发展比较
5.3.4 技术发展综况
5.3.5 技术应用方向
5.3.6 技术发展效益
第六章 2021年到2024年芯片测试领域技术发展状况分析
6.1 中国芯片测试领域技术发展分析
6.1.1 技术发展综况
6.1.2 技术阶段分类
6.1.3 技术发展意义
6.1.4 技术发展进程
6.1.5 技术发展阻碍
6.1.6 技术发展效益
6.2 测试机技术发展分析
6.2.1 技术发展历程
6.2.2 技术发展阶段
6.2.3 技术发展意义
6.2.4 技术发展综况
6.2.5 技术发展进程
6.2.6 技术发展效益
6.3 探针卡技术发展分析
6.3.1 技术发展综况
6.3.2 技术发展阶段
6.3.3 技术发展对比
6.3.4 技术发展进程
6.3.5 技术发展意义
6.3.6 技术发展效益
第七章 我国企业芯片技术战略部署
7.1 紫光国芯微电子股份有限公司
7.1.1 企业发展概况分析
7.1.2 紫光国微技术发展历程
7.1.3 紫光国微技术发展现状
7.1.4 紫光国微技术核心竞争力
7.1.5 紫光国微技术研发进程
7.1.6 紫光国微技术发展建议
7.1.7 紫光国微技术发展前景
7.2 中芯国际集成电路制造有限公司
7.2.1 企业发展概况分析
7.2.2 中芯国际技术发展历程
7.2.3 中芯国际技术发展现状
7.2.4 中芯国际技术核心竞争力
7.2.5 中芯国际技术研发进程
7.2.6 中芯国际技术发展建议
7.2.7 中芯国际技术发展前景
7.3 华虹半导体有限公司
7.3.1 企业发展概况分析
7.3.2 华虹半导体技术发展历程
7.3.3 华虹半导体技术发展现状
7.3.4 华虹半导体技术核心竞争力
7.3.5 华虹半导体技术研发进程
7.3.6 华虹半导体技术发展建议
7.3.7 华虹半导体技术发展前景
7.4 江苏长电科技股份有限公司
7.4.1 企业发展概况分析
7.4.2 长电科技技术发展历程
7.4.3 长电科技技术发展现状
7.4.4 长电科技技术核心竞争力
7.4.5 长电科技技术研发进程
7.4.6 长电科技技术发展建议
7.4.7 长电科技技术发展前景
第八章 芯片技术发展前景趋势预测
8.1 芯片分类别技术趋势
8.1.1 芯片技术发展趋势
8.1.2 逻辑技术发展趋势
8.1.3 存储技术发展趋势
8.1.4 集成技术发展趋势
8.2 芯片分步骤技术趋势
8.2.1 芯片设计技术发展趋势
8.2.2 芯片制造技术发展趋势
8.2.3 芯片封装技术发展趋势
8.2.4 芯片测试技术发展趋势
图表目录
图表 2018年到2023年芯片行业专利申请量、授权量及对应授权率数据表
图表 2018年到2023年芯片行业专利申请量、授权量及对应授权率走势图
图表 2018年到2023年芯片行业专利类型占比
图表 截至2023年芯片行业专利审查时长
图表 截至2023年芯片行业有效专利总量
图表 截至2023年芯片行业审中专利总量
图表 截至2023年芯片行业失效专利总量
图表 截至2023年芯片行业领域的专利在不同法律事件上的分布
图表 芯片行业生命周期
图表 2018年到2023年芯片行业专利申请量与专利申请人数量
图表 截至2023年芯片行业专利申请中国省市分布
图表 截至2023年芯片行业专利申请在中国各省市申请量
图表 截至2023年芯片行业主要技术分支的专利分布
图表 2018年到2023年芯片行业领域在主要技术分支的专利申请变化情况
图表 2018年到2023年芯片行业领域各技术分支内申请人的分布情况
图表 截至2023年芯片行业功效矩阵
图表 截至2023年芯片行业领域申请人的专利量排名情况
图表 芯片行业专利集中度
图表 芯片行业领域在主要技术方向上的新入局者
图表 截至2023年芯片行业领域合作申请分析
图表 截至2023年芯片行业领域主要申请人技术分析
图表 2018年到2023年芯片行业领域主要申请人逐年专利申请量
图表 截至2023年芯片行业创新热点
图表 截至2023年芯片行业领域热门技术专利量
图表 芯片设计流程
图表 现阶段市场芯片架构对比
图表 芯片EDA技术发展历程
图表 EDA对集成电路设计和制造环节形成支撑
图表 2000年到2028年EDA技术可降低设计成本趋势
图表 主要晶圆厂制程节点技术路线
图表 8英寸和12英寸硅片发展历史
图表 衬底晶圆材料对应尺寸
图表 外延生长对应wafer尺寸
图表 不同晶圆尺寸发展历程
图表 衬底制备的基本步骤
图表 外延晶圆片结构示意图
图表 MBE与MOCVD技术对比
图表 不同晶圆制造工艺示意图
图表 FinFET工艺七大玩家进展
图表 氧化的种类
图表 自由基氧化的特点
图表 密勒指数(Miller indices)描述的硅原子排列
图表 氧化物在晶圆表面的保护作用
图表 干法氧化和湿法氧化
图表 晶圆表面图示
图表 扩散遮蔽层
图表 离子注入屏蔽氧化层
图表 STI工艺中的衬垫氧化层和阻挡氧化层
图表 光刻机技术发展进程
图表 光刻机参数对比
图表 光刻机工作原理
图表 光刻步骤图示
图表 光刻的主要流程
图表 封装外型图示
图表 封装方式发展历程图
图表 封装形式发展阶段细分
图表 BGA(ball grid array)封装技术
图表 COB(chip on board)封装技术
图表 DIP(dual in年到line package)封装技术
图表 SDIP(shrink dual in年到line package)封装技术
图表 flip年到chip封装技术
图表 MCM(multi年到chip module)封装技术
图表 QFP(quad flat package)封装技术
图表 BQFP(quad flat package with bumper)封装技术
图表 QFH(quad flat high package)封装技术
图表 CQFP(quad fiat package with guard ring)封装技术
图表 MQUAD(metal quad)封装技术
图表 Cerquad封装技术
图表 QFG(quad flat J年到leaded package)封装技术
图表 QFN(quad flat non年到leaded package)封装技术
图表 TCP(Tape Carrier Package)封装技术
图表 Tape Automated Bonding(TAB)封装技术
图表 PGA(pin grid array)封装技术
图表 LGA(land grid array)封装技术
图表 QUIP(quad in年到line package)封装技术
图表 MFP(mini flat package)封装技术
图表 SIMM(single in年到line memory module)封装技术
图表 DIMM(Dual Inline Memory Module)封装技术
图表 SIP(single in年到line package)封装技术
图表 SMD(surface mount devices)封装技术
图表 SOJ(Small Out年到Line J年到Leaded Package)封装技术
图表 TO packageTO封装技术
图表 半导体芯片的封装等级
图表 半导体芯片封装示例
图表 半导体封装的作用
图表 封装技术的发展趋势图
图表 Bumping工艺示意图
图表 重布线层技术示意图
图表 硅中介层技术示意图
图表 硅通孔技术示意图
图表 传统封装与晶圆级别封装对比
图表 3DIC与2.5D封装对比
图表 系统级封装示意图
图表 Chiplet封装示意图
图表 长电科技封装项目
图表 华天科技封装技术项目
图表 富通微电封装技术项目
图表 Amkor封装解决方案
图表 芯片良率与芯片面积的关系
图表 芯片成本随工艺节点微缩递增
图表 典型芯粒产品
图表 TSV基本结构示意图
图表 台积电CoWoS封装技术路线
图表 赛灵思FPGA CoWoS封装
图表 CEA年到Leti96核处理器集成技术
图表 英特尔Foveros技术
图表 片外存储从并排布局转为三维堆叠
图表 HBM架构和封装集成示意图
图表 台积电InFO SoW技术
图表 英伟达A100芯片与特斯拉Dojo训练Tile主要性能指标对比
图表 英特尔EMIB互连技术
图表 键合技术的演进
图表 AMD3D芯粒技术
图表 台积电SoIC年到WoW混合键合技术
图表 封装技术两个发展方向
图表 传统封装技术演变
图表 传统封装技术简介
图表 封装与传统封装简单对比
图表 引线框架封装和基板封装的组装步骤
图表 晶圆背面研磨工艺的四个步骤
图表 通过刀片切割工艺将晶圆切割成芯片
图表 芯片贴装工艺
图表 芯片互连步骤示意图
图表 回流焊工艺的温度曲线
图表 封装技术的在不同硬件设备的应用方向
图表 IC测试基本原理模型
图表 CP测试系统示意图
图表 测试机发展历程
图表 CP测试系统示意图
图表 测试机分类及介绍
图表 光学检测技术、电子束检测技术和X光量测技术对比
图表 三种检测技术在检测环节的具体应用情况
图表 四类量测环节在产业链中的应
图表 探针卡分类状况
图表 细分类型探针卡交货期对比
图表 图探针卡结构示意图
图表 基于LTCC的MEMS探针卡的制作过程
图表 通过Au/Sn共晶键合转移到LTCC基板上的探针结构
图表 探针用陶瓷基板
图表 图晶圆测试示意图
图表 半导体晶圆测试的探针卡
图表 紫光国微发展历程
图表 紫光国微产品矩阵
图表 紫光国微技术发展历程
图表 紫光国微智能安全芯片主要产品
图表 紫光国微特种集成电路产品系列
图表 紫光国微FPGA产品系列
图表 中芯国际业务图
图表 中芯国际发展历程
图表 主要晶圆厂制程节点技术路线图
图表 中芯国际工艺平台及下游应用
图表 中芯国际逻辑工艺技术平台(成熟制程)
图表 中芯国际特色工艺技术平台
图表 制程升级伴随MOS结构的升级
图表 华虹半导体历史沿革
图表 华虹半导体工艺平台
图表 华虹半导体主要产品及服务变化情况
图表 华虹半导体主要工艺平台及具体情况
图表 华虹半导体主要核心技术平台情况
图表 华虹半导体主要在研项目具体情况
图表 长电科技主要业务情况
图表 长电科技下游主要应用领域及优势
图表 长电科技战略布局
图表 长电科技发展历史
图表 长电科技Chiplet平台及解决方案—XDFOITM
图表 截至2022年中国大陆头部封测公司主要封装产品对比
图表 长电科技在各封装领域的技术优势
图表 长电科技封装技术
图表 长电科技Chiplet技术路径
图表 制程与封装的技术迭代时间图
图表 后摩尔时代器件结构演变
图表 Fin FET与GAA NS器件结构剖面示意图
图表 底层纳米片串联电阻示意图
图表 PTS和BDI防止底部寄生管漏电问题示意图
图表 GAA NS器件与Forksheet器件的对比示意图
图表 GAA NS器件与Forksheet器件的N/P间距示意图
图表 CFET结构示意图
图表 CFET中上下层器件金属互连导致很大的通孔深宽比示意图
图表 单块集成CFET的典型集成方法
图表 顺序集成CFET的典型方法
图表 HBM示例图
图表 主流3D DRAM技术探索方向
图表 PCH单元解决电阻漂移问题
图表 基于垂直架构的三维相变存储器架构
图表 铁电存储器三维架构的两种实现方式
图表 垂直3D RRAM架构
图表 基于RRAM的神经网络计算技术示意图
图表 X年到Cube示例图
图表 集成电路封装产业发展趋势
图表 中国集成电路封装产业前景预测
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